Нелинеарни кристали

Методи на растење, вклучувајќи хоризонтални и вертикални, овие материјали (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) се достапни со дадени стандардни големини и ориентации.Некои од нив, со својства на голем нелинеарен коефициент и единствени димензии што ги обезбедивме, се широко користени во редовните SHG, THG и средно-инфрацрвени OPO, OPA системи, итн. Производите може да се испорачуваат со или без држач од анодизиран алуминиум.

КТП Кристал

Калиум титанил арсенат (KTiOAsO4), или KTA кристал, е одличен нелинеарен оптички кристал за примена на оптички параметриски осцилации (OPO).Има подобри нелинеарни оптички и електрооптички коефициенти, значително намалена апсорпција во регионот од 2,0-5,0 µm, широк аголен и температурен опсег, ниски диелектрични константи.
Кристал ZnTe

Цинк телурид е бинарно хемиско соединение со формула ZnTe.DIEN TECH произведува кристал ZnTe со кристална оска <110>, што е идеален материјал применет за да се гарантира пулс со терахерцова фреквенција преку нелинеарен оптички процес наречен оптичко исправување со помош на светлосен импулс со висок интензитет од субпикосекунда.Елементите ZnTe што ги обезбедува DIEN TECH се без двојни дефекти.
PPKTP цистали

Периодично полиран калиум титанил фосфат (PPKTP) е фероелектричен нелинеарен кристал со уникатна структура што ја олеснува ефикасната конверзија на фреквенцијата преку квазифазно совпаѓање (QPM).
HgGa2S4 кристал

Високите вредности на прагот на ласерско оштетување и ефикасноста на конверзија овозможуваат користење на Mercury Thiogallate HgGa₂S₄(HGS) нелинеарни кристали за удвојување на фреквенцијата и OPO/OPA во опсегот на бранова должина од 1,0 до 10 µm.Утврдено е дека SHG ефикасноста на CO₂ласерско зрачење за 4 mm должина HgGa₂S₄елементот е околу 10 % (времетраење на пулсот 30 ns, густина на моќност на зрачење 60 MW/cm²).Високата ефикасност на конверзија и широкиот опсег на подесување на бранова должина на зрачење овозможува да се очекува дека овој материјал може да се натпреварува со AgGaS₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂и GaSe кристали и покрај значителната тешкотија на процесот на раст на кристалите со големи димензии.